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MT47H128M16RT-25E XIT:C内存集成电路MT47H128M16RT-25E AIT:C

来源:设计   2024年12月24日 12:17

MT47H128M16RT-25E XIT:C磁盘芯片MT47H128M16RT-25E AIT:C

英特尔Corporation(Micron)指出将在18个同月内为其配备 DDR4 PCI的 DRAM 硬碟模组增加NAND 快闪硬碟(flash)。该Corporation预期,这种可封装256Gb硬碟的混合式 DIMM (Hybrid DIMM) 将可地面部队赛门铁克(Microsoft) Windows 系统,并实现超越当今配备 PCI Express 的固态硬碟(SSD)效率,从而开启非常多新领域。英特尔Corporation指出,此举将赋予 flash在电脑硬碟行政机构中的全新定位。这种 Hybrid DIMM 虽然比 SSD 非常加昂贵,但可缺少非常高效率──奈米级的硬碟接取速率,而非微秒(ms)级速率。以外OEM与应用软件正与英特尔洽谈这种 Hybrid DIMM 的可能领域,以外硬碟内(in-memory)资料库等。英特尔Corporation认为,该模组可望作为结合大型 DRAM 快取的非常快速 SSD 、结合flash 的 DRAM 模组,以及基于 DRAM 的 flash 储存等领域。

这种 Hybrid DIMM 有别于专用中央处理器作为主图形界面通往处理器,同时还搭配了另一个快闪硬碟中央处理器。 Windows 系统的地面部队也是实现这种混合式 DIMM 的关键。英特尔Corporation在过去六个同月以来已针对该技术进行多次讨论,但目前即已发布这部分的内容。英特尔Corporation现正作出贡献技术开发针对 Linux 系统的地面部队,期望在面世 DDR4 系列产品时发布相关软体。据传摩托罗拉从未表达对该项技术十分热衷。但摩托罗拉和赛门铁克都并未举动加以对此。

此外,英特尔与其合作者Gigatech Products从未出样非常温下的 DIMM 系列产品了,结合flash 和超级电容器作为 DRAM 的备案,以因应电源供应器发生故障的情况。而NetlistCorporation据传从未面世类似的系列产品了。从长远来看,英特尔预计面世 Hybrid Memory Cub (HMC)──这种结合 3-D 硬碟与逻辑堆叠的版本一般来说于整合ASIC和FPGA。目前的的 HMC 的设计有别于一种有着16个非对称解串器(serdes)的模组,可以10Gb/s的速率执行,并可调谐至15Gb/s。

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