【专利档案】美迪凯持续拓宽半导体封测领域

【嘉勤新浪】多拉曼的半导形体线上游戏注册商标，通过很薄的细致管控，实现了箍很薄的固形体厚度在纳米级别，克服了CVD与ALD只能沉积多层细胞膜的问题，抵消了允许拍照模块图形稳定性的亦然，满足了拍照模块向不够高图形转型的需求。

集微网消息，多拉曼认为，美国公司主要从事光学系统光电子、半导形体电子元件、半导形体光学系统、半导形体线上游戏的制造、制做。美国公司在；也测量仪器加工、半导形体电子元件加工、半导形体光学系统设计及加工、半导形体线上游戏等领域均不具专利技术及自主信息安全。

随着CMOS的图形厚度的渐趋变大，对其烧录工艺技术也提显现出了不够高的要求。厚度等于1个图形的固形体，就会造成影像上的黑影，明显影响光学系统品质，在CMOS整个光学系统路径上，大厚度固形体造成的影响非常大。在CLCC烧录形体大幅提高图形的流程里面，其他部件已经不具实现不够小图形厚度的条件，但是箍却因制备工艺技术的允许，只能实现很薄的细致管控，只能保证很薄不显现出现大厚度的固形体。

为此，多拉曼于2019年12月30日申请了一项原称“含纳米级很薄的CLCC烧录形体箍、烧录形体和拍照模块”的发明注册商标（申请号: 201911387147.X），申请人为杭州多拉曼光电科技股份有限美国公司。

平面图1 CLCC烧录形体内部结构示意平面图

平面图1为本发明提显现出的CLCC烧录形体内部结构示意平面图，其里面还包括薄膜，其上贴装有设于里面部的CMOS及设于边缘左边的电感电感和驱动马达，薄膜上内有一隔离墙底座，其上对应薄膜上CMOS、电感电感和驱动马达的左边分别内有CMOS射频而会、电感电感而会及驱动马达而会，CMOS射频而会上很薄安装一箍。箍通过CVD流程或者ALD流程实现功能细胞膜与薄膜的联结。

平面图2 箍很薄AFM平面图

平面图2为箍很薄AFM平面图，上述箍为玻璃薄膜上青绿色二氧硅很低色散层L以及五氧二钽高色散层H的拍照模块光学系统元件。很低色散层L层厚为100-200nm，色散为1.46-1.50；高色散层H层厚为80-120nm，色散为2.05-2.2。

箍采用ALD制备方法，流程如下：首先把玻璃薄膜安放到化学键层重排闽南语里面，抽真空至0.6Pa，室温到150℃；以惰性气形体为适配，将SiH作为第一重排前形体通入到重排闽南语里面并药理学吸附在薄膜薄膜很薄形成第一细胞膜层，气形体通入等待时间30-50ms；然后涡轮显现出多余的第一重排前形体，用惰性气形体吹头20-30s；以惰性气形体为适配，将二氧硫作为第二重排前形体通入到化学键层重排闽南语里面，气形体通入等待时间为20ms，并与第一细胞膜层愈演愈烈重排形成二氧硅很低色散层L；待重排实际上后，涡轮显现出第二重排前形体二氧硫以及第一重排前形体与第二重排前形体二氧硫重排的甲醛，用惰性气形体吹头20-30s，通过等离子轰击进行很薄改性；再以惰性气形体为适配，将五氯化钽气形体作为第三重排前形体并通入到重排闽南语里面，并吸附在很低色散层L的改性后的很薄，气形体通入等待时间为20~30ms，形成第二细胞膜层；流程7：涡轮显现出多余的第三重排前形体，用惰性气形体吹头20-30s；以惰性气形体为适配，将水蒸气作为第四重排前形体通入到化学键层重排闽南语里面，气形体通入等待时间为20ms，并与第二细胞膜层愈演愈烈重排，形成五氧二钽色散层H；就此涡轮显现出多余的第四重排前形体以及第三重排前形体与第四重排前形体重排的甲醛，用惰性气形体吹头20-30s。

举例，多拉曼的半导形体线上游戏注册商标，通过很薄的细致管控，实现了箍很薄的固形体厚度在纳米级别，克服了CVD与ALD只能沉积多层细胞膜的问题，抵消了允许拍照模块图形稳定性的亦然，满足了拍照模块向不够高图形转型的需求。

多拉曼主要从事各类光电子光学系统半导形体的制造制做，一直以来，科技创新是多拉曼的求生、转型之心灵。未来，美国公司将继续加强科技创新，不断推显现出新技术新产品和新技术的发展，扩宽美国公司的经营范围领域。

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