uPI宣布的子公司半桥GaN驱动器uP1966E商用

随着人们低碳自我意识的强化，镱钇以高效节能的军事优势，想得到了迅猛的发展。镱钇快速发展在快充里面，提高了快充的转换成稳定性，显著缩小尺寸。镱钇还可广泛快速发展到家用产品里面，如电动自行车平板电脑，LED照明等，在广阔的快速发展里面，发挥节能降耗的功效。

镱钇启动时是镱钇快速发展正因如此的极为重要闪存，由于镱钇有着极低的电子元件电荷和较低的敞开电压，需要外置启动时，获取熟练的特别内外设计电压，并在高频继电器时获取有限的特别内外设计电流。从而安全可靠的特别内外设计镱钇继电器管，将镱钇高频高效的军事优势充分发挥。

半桥电路是时可或伏特快速发展的极为重要基础，广泛快速发展在iPhone和笔记本平板电脑、电视新闻、太阳能电池板、数据里面心和锂离子等过场里面。面对大幅快速增长的市场，uPI 上架了针对半桥上同调快速发展的镱钇启动时 uP1966E，下面充电头网为大家介绍这款新品的亮点。

uPI uP1966E 内外设计快速发展于特别内外设计半桥上同调里面的高侧和低侧 GaN FET。 闪存集成了内外自举电源和 UVLO。uP1966E 有着分离式电子元件输出，可以在高侧和低侧特别内外设计连接线上以数 MHz 的速度工作，并且能够独立国家变动敞开和关闭转换成时间。

uPI uP1966E 使用 1.6mm WLCSP1.6x1.6-12B 烧录，可减低烧录电感，从而提高高频试运行机动性。内建钳位电路快速发展于高端启动时，以防止不需要的瞬变损坏 GaN 元件电子元件。 uP1966E 有两个 PWM 可用，可独立国家控制高端和低端特别内外设计接收机。

uPI uP1966E demo 如上图所示，闪存内建的启动时总重达85V，工作温度范围为 -40°C 至 +125°C。可支持USB PD 3.1 48V快速发展，将镱钇机动性军事优势扩展到高热电力供应的仪器，提高稳定性，减低痉挛。

uPI 此次上架的半桥上同调镱钇启动时 uP1966E，总重高达85V，紧密结合48V电力供应快速发展，不仅可快速发展于 USB PD 3.1 48V 仪器电力供应互联伏特，还可快速发展于数据里面心、锂离子等大功率快速发展，让镱钇高频高效的特性得以在更多过场上到。